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※MOS管 | |||||
型号 | 封装 | 漏极至源极电压V(BR)DSS | 漏极电流Id(A) | 静态漏源导通电阻RDS(Ω) |
备注 |
CJ2305(P-MOS) | SOT-23 | 8 | 1µ | 0.045 | 用于便携设备的负载开关 直流/直流转换器 |
CJ2302(N-MOS) | SOT-23 | 20 | 1µ | 0.06 | 负荷开关为z便携设备的DC / DC转换器 |
CJ2301(P-MOS) | SOT-23 | 20 | 1µ | 0.112 | 负荷开关为z便携设备的DC / DC转换器 |
2N7002K(N-MOS) | SOT-23 | 60 | 0.34 | 5.3 | 高密度低RDS的单元设计(上)z的电压控制的小信号开关 |
2N7000(N-MOS) | TO-92 | 60 | 0.2 | 5 | 高密度低RDS的单元设计(上)z的电压控制的小信号开关 |
M7002TTD03(N-MOS) | WBFBP-03A(1.6*1.6*0.5) | 60 | 0.115 | 7.5 | 对于便携式设备:(即移动电话,MP3,CD - ROM, DVD - ROM光驱,笔记型电脑等) |
M7002NND03 | WBFBP-03B(1.2*1.2*0.5) | 60 | 0.115 | 7.5 | 对于便携式设备:(即移动电话,MP3,电脑CD - ROM, DVD - ROM光驱,笔记型电脑等) |
2N7002W(N-MOS) | SOT-323 | 60 | 0.115 | 7.5 | 高密度低RDS的单元设计(上)z的电压控制的小信号开关 |
2N7002(N-MOS) | SOT-23 | 60 | 0.115 | 7.5 | 高密度低RDS的单元设计(上)z的电压控制的小信号开关 |